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GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

作者:标准资料网 时间:2024-05-08 22:13:57  浏览:8738   来源:标准资料网
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基本信息
标准名称:硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
英文名称:Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy
中标分类: 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合
ICS分类: 电气工程 >> 半导体材料
发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:2009-10-30
实施日期:2010-06-01
首发日期:2009-10-30
作废日期:
主管部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
提出单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位:有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子有限公司
起草人:孙燕、李俊峰、楼春兰、卢立延、张静、翟富义
出版社:中国标准出版社
出版日期:2010-06-01
页数:16页
计划单号:20070862-T-469
适用范围

本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X 光荧光光谱测试方法,本方法使用单色X 光源全反射X 光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。
本标准适用于N 型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片,尤其适用于清洗后硅片自然氧化层,或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。

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所属分类: 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料
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基本信息
标准名称:精密冲裁件 结构工艺性
英文名称:Structural processability of fine blanked parts
中标分类: 机械 >> 加工工艺 >> 锻压
ICS分类: 机械制造 >> 制造成型过程
替代情况:JB/Z 272-1986
发布日期:1999-06-24
实施日期:2000-06-24
首发日期:1900-01-01
作废日期:1900-01-01
归口单位:全国锻压标准化技术委员会
出版日期:1900-01-01
页数:6 页
批文号:国机管[1999]353号
适用范围

JB/T 9175.1-1999

前言

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引用标准

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所属分类: 机械 加工工艺 锻压 机械制造 制造成型过程
【英文标准名称】:IECBus821VMEMicroprocessorsystembusfor1to4bytedata-Part2.
【原文标准名称】:IEC总线821VME1至4字节数据微处理机系统总线.第2部分
【标准号】:NFC96-031/2-1990
【标准状态】:现行
【国别】:法国
【发布日期】:1990-03-01
【实施或试行日期】:
【发布单位】:法国标准化协会(FR-AFNOR)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:
【摘要】:IECBus821VMEMicroprocessorsystembusfor1to4bytedata-Part2.
【中国标准分类号】:L55
【国际标准分类号】:
【页数】:125P.;A4
【正文语种】:法语